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三星将采用台积电 3nm 工艺为英伟达生产下一代 HBM 基底裸片
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三星将采用台积电 3nm 工艺为英伟达生产下一代 HBM 基底裸片 - IT之家
IT之家 10 月 18 日消息,据首尔经济日报今日报道,三星电子将采用全球最大晶圆代工厂台积电的制造工艺,生产英伟达下一代定制高带宽内存(HBM)的核心组件 —— 基底裸片(base die)。在此之前,三星供应的所有 HBM 产品中,作为存储芯片的核心裸片(core die)与充当系统半导体的基底裸片,均由三星自主生产。如今三星决定接受英伟达的技术要求,调整 HBM 的一站式全包制造模式。 业内消息人士 18 日称,英伟达已向三家 NVHBM 供应商 —— 三星电子、SK 海力士(000660.KS)和美光提出要求:使用台积电…
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