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三星将采用台积电 3nm 工艺为英伟达生产下一代 HBM 基底裸片
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三星将采用台积电 3nm 工艺为英伟达生产下一代 HBM 基底裸片 - IT之家
英伟达要求三家 HBM 供应商改用台积电 3nm 工艺制造基底裸片,三星已接受该要求,这是双方首次在 HBM 制造阶段合作,三星仍保留自研预案应对产能变化。#半导体# #HBM芯片#
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