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ASML & 蔡司:未来 Hyper NA EUV 光刻机主要挑战为更低的可用景深
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ASML & 蔡司:未来 Hyper NA EUV 光刻机主要挑战为更低的可用景深 - IT之家
IT之家 10 月 9 日消息,ASML(阿斯麦)与其光学系统合作伙伴 ZEISS(蔡司)在一份 10 月 1 日发布的文章中表示,数值孔径≥0.75 的 Hyper NA EUV 光刻机有望支持 5nm“半间距”的光学分辨率,并在 10 年左右面世。
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