IT之家 10 月 7 日消息，《韩国经济日报》当地时间今日报道称，三星电子存储器业务的 12 层堆叠 HBM4E 内存已于 9 月末通过 NVIDIA（英伟达）和主要超大规模数据中心企业的质量验证测试，各客户的供货量、合同规模、出货时间尚未敲定。 三星电子此前在今年 5 月实现了 12Hi HBM4E 产品的出样。其结合了 1c nm DRAM Die 与 4nm Logic Die，单堆栈容量达 48GB，支持 14~16Gbps 引脚速率，实现 16% 能效提升、14% 热阻改进。 三星电子官方回应称“无法确认”其…