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IT之家
备战 HBM4E:消息称 1c nm 有望 2027 年初成为 SK 海力士第一大 DRAM 工艺
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备战 HBM4E:消息称 1c nm 有望 2027 年初成为 SK 海力士第一大 DRAM 工艺 - IT之家
SK 海力士在 HBM4 内存中仍然使用了 1b nm DRAM Die,而其 HBM4E 将升级到 1c nm DRAM Die。
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