IT之家 8 月 20 日消息，摩根士丹利在最新研究报告中指出，受存储厂商把晶圆产能转向 HBM、DDR5 和高层数 NAND 影响，预测成熟型 DRAM 内存和 NAND 闪存芯片的供应紧张状态可能进一步恶化。 该机构预测 2026 年第 3 季度 DDR4 内存价格将会上涨 50%（原文并未提及是同比还是环比，基于上下文更大概率是环比），而第 4 季度再上涨 10% 以上。SLC NAND 的价格涨幅更高，预计 2026 年第 3、4 季度均上涨 50% 以上。IT之家附上相关截图如下： 摩根士丹利…