IT之家 8 月 5 日消息，三星公司今天（8 月 5 日）发布博文，宣布其在 2026 年未来存储与内存大会（FMS）上，概述了面向人工智能基础设施的 3D 内存路线图，重点介绍了 DRAM、NAND 闪存、企业级存储、先进封装和半导体制造方面的最新进展。 在“引领人工智能革命浪潮：内存与存储架构的 3D 创新”主题演讲中，三星执行副总裁兼闪存产品与技术负责人李镇烨（Jin-Yub Lee）和副总裁兼 DRAM 设计团队项目负责人金京伦（Kyungryun Kim）阐述了公司未来内存架构的发展路线图。