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消息称 SK 海力士计划重启大连二厂扩建工程，将生产 238 层 NAND 闪存芯片
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消息称 SK 海力士计划重启大连二厂扩建工程，将生产 238 层 NAND 闪存芯片 - IT之家
业界消息透露，SK 海力士近期将以向中国大连第二工厂引进设备为契机，正式推进全新生产线的投资建设。（newstomato）
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