IT之家 7 月 1 日消息，据 X 平台博主 @jukan05 消息，三星电子在率先实现第六代高带宽内存（HBM4）量产后，如今在第七代产品 HBM4E 以及下一代 DRAM 的研发上也取得了显著进展。三星电子首席技术官（CTO）兼半导体研发中心社长 Song Jai Hyuk 在近日的一场内部高管简报会上表示，HBM4E 的可靠性测试良率（合格品率）已提升至 70% 以上；同时，下一代 10 纳米级第七代（D1d）DRAM 工艺相比竞争对手已占据优势。 Song Jai Hyuk 在 6 月 30 …