IT之家 6 月 19 日消息，比利时微电子研究中心（imec）联合 ASML 和台积电宣布，在一片 300mm 晶圆上成功集成采用原子级二维（2D）材料沟道的 n 型和 p 型互补晶体管，并实现 50nm 接触栅极间距（Contacted Poly Pitch，CPP，从一个晶体管到另一个晶体管的距离）。 研究团队表示，这是首次在标准 300mm 晶圆工艺上实现如此高密度的二维 CMOS 集成，进一步推动二维半导体迈向后硅时代逻辑芯片应用。 据介绍，这是迄今为止二维互补器件已公开实现的最小间距，已经进…