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应对高深宽比 3D 器件制造挑战：应用材料推出氮化硅 ALD 与钼蚀刻设备
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应对高深宽比 3D 器件制造挑战：应用材料推出氮化硅 ALD 与钼蚀刻设备 - IT之家
两者相结合可精准控制介电薄膜的最终效果，提升器件表现并改善可制造性。
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