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消息称 SK 海力士 V10 NAND 采用 375 层堆叠设计，2026 年内量产
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消息称 SK 海力士 V10 NAND 采用 375 层堆叠设计，2026 年内量产 - IT之家
SK 海力士在 V10 NAND 的金属布线层中将部分字线 (Word Line) 材料从钨 (W) 替换为钼 (Mo)，后者电阻更低、填充性能更好
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