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东芝出样 1200V 沟槽栅碳化硅 MOSFET,主要面向下一代 AI 数据中心电源系统
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东芝出样 1200V 沟槽栅碳化硅 MOSFET,主要面向下一代 AI 数据中心电源系统 - IT之家
其单位面积低导通电阻较东芝现有产品降低约 58%,达到业界领先水平;同时品质因数较现有产品提高了约 52%。
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