IT之家 5 月 11 日消息，韩媒 ETNEWS 当地时间今日报道称，在 DRAM 尤其是 HBM 业务竞争力恢复后，三星电子设备解决方案 (DS) 部开始就重启半导体新业务的研发和投资进行讨论。 此次讨论的重点包括下一代 (V10) NAND 闪存、化合物半导体、先进封装及基板，都是处于三星电子技术路线图上但进展相对缓慢的领域。随着内部资源出现富余，三星半导体正瞄准下一阶段的增长。 三星电子在 2024 年 4 月和 9 月先后宣布其第九代 286 层 V-NAND 的 TLC 和 QLC 版本进入量产阶段，此后一直未上线新的…