IT之家 5 月 8 日消息，英诺赛科今日宣布，美国国际贸易委员会（ITC）在第 337‑TA‑1414 号调查中作出最终裁定，确认英诺赛科当前的氮化镓 GaN 功率器件产品未侵犯英飞凌的相关专利，并可不受限制地继续在美国进口和销售。 IT之家注：英诺赛科是一家总部位于珠海的氮化镓类器件制造商，产品包括高低压氮化镓电源 IC、功率半导体等。2024 年底，英诺赛科在香港联合交易所主板挂牌上市，标志着国内氮化镓半导体第一股诞生。