IT之家 5 月 4 日消息，据 TrendForce 今天报道，铠侠、闪迪将在 6 月 14-18 日参加 VLSI Symposium 研讨会，届时将同步展出多层堆叠单元架构 QLC NAND 闪存，向突破 1000 层 3D NAND 迈进。 据报道，闪迪和铠侠已经提前展示了 MSA-CBA（IT之家注：多层堆叠单元阵列-CMOS 键合）器件架构图，还带有两块 218 字线阵列晶圆形成的堆叠单元阵列的 FIB-SEM 图像。 值得注意的是，铠侠早在 2024 年就提出了 1000 层 3D NAND…