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英特尔合作开发 ZAM 内存获日本政府补贴：号称功耗比传统 HBM 低约 40%，目标 2029 年左右实现量产
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英特尔合作开发 ZAM 内存获日本政府补贴：号称功耗比传统 HBM 低约 40%，目标 2029 年左右实现量产 - IT之家
ZAM 内存通过垂直架构和非接触式互连，宣称比传统 HBM 带宽更大、功耗降低 40%。该项目已获日本政府补贴，计划投入 80 亿日元，目标 2029 年量产。若成功，将重塑 AI 数据中心内存市场格局。#AI 芯片##内存技术#
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