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2 天前
IT之家
NEO Semiconductor 完成 3D 堆叠内存 X-DRAM 概念验证，可用现有 NAND 产线制造
Ithome
NEO Semiconductor 完成 3D 堆叠内存 X-DRAM 概念验证，可用现有 NAND 产线制造 - IT之家
该芯片实现了 10¹⁴ 循环耐久，读写延迟＜10ns，85℃ 下数据保持时间＞1s。
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