IT之家 4 月 2 日消息，意法半导体与英诺赛科在 3 月 31 日共同宣布已签署一项氮化镓 (GaN) 技术开发与制造协议，双方将充分发挥各自优势，提升氮化镓功率解决方案的竞争力和供应链韧性。 根据协议，双方将合作推进氮化镓功率技术的联合开发计划，并在未来几年内共同推动该技术在消费电子、数据中心、汽车、工业电源系统等领域得到广泛应用的光明前景。 协议还约定，英诺赛科可借助意法半导体在中国以外地区的前端制造产能生产其氮化镓晶圆，而意法半导体也可借助英诺赛科在中国的前端制造产能生产其自有的氮化镓晶圆，实现产能互补。…