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2 天前
IT之家
消息称三星本月成功研制首批 1c nm DRAM 良品晶粒,未来将用于 HBM4 内存
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消息称三星本月成功研制首批 1c nm DRAM 良品晶粒,未来将用于 HBM4 内存 - IT之家
IT之家 10 月 22 日消息,韩媒 ZDNET Korea 当地时间昨日报道称,三星电子本月首次开发出 1c nm(第 6 代 10nm 级)DRAM 内存 Good Die 良品晶粒,公司内部对此给予积极评价。 不过三星的 1c nm DRAM 量产开发尚需一段时日,首批产品良率不足一成。产能方面,三星电子计划在今年底前建成第一条 1c nm DRAM 内存量产线。
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