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15:31 · 2024年10月20日 · 周日
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半镶嵌 芯片制造的新拐点?
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半镶嵌 芯片制造的新拐点? - cnBeta
芯片制造商从减法铝图案化(subtractive Al patterning)转向湿法工艺,如铜电镀和化学机械抛光 (CMP)。这种彻底的转变是为了应对铝基互连中不断增加的 RC 延迟,这是电阻电容 (RC) 乘积增加的结果。Cu 双大马士革具有成本效益,适用于 BEOL 堆栈的多层,有望实现许多后续逻辑和内存技术。 但几年后,最关键的 BEOL 层内的金属间距将降至 20nm 以下。当这种情况发生时,Cu 双大马士革将失去动力。随着金属线尺寸的缩小接近 Cu 的电子平均自由程,RC 延迟将急剧增加。此外,Cu…
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