IT之家 11 月 25 日消息，2026 年度 IEEE ISSCC 国际固态电路会议将于明年 2 月 15~19 日在美国加州旧金山举行，集成电路学术和产业界的最新成果将在这次行业盛会上集中展示。 IT之家注意到，存储领域各大原厂将在该活动上展示一系列值得关注的内容： 在 DRAM 内存底层架构方面，三星电子将带来以混合铜键合技术实现单元和外围堆叠的 VCT 垂直单元晶体管 4F2 立体构型设计 (15.10)。 在 LPDDR6 上，三星已宣布在明年初的 CES 上展出 12nm 制程的 10.7Gbps…