近年来，计算设备已出现多种类型的存储器，旨在克服传统随机存取存储器 (RAM) 的限制。磁阻 RAM (MRAM) 就是这样一种存储器类型，它比传统 RAM 具有多种优势，包括非挥发性、高速、存储容量增加和耐用性增强。尽管 MRAM 设备已经取得了显著的改进，但降低数据写入过程中的能耗仍然是一项关键挑战。 大阪大学研究人员最近在《先进科学》杂志上发表的一项研究提出了一种用于 MRAM 设备、具有低能耗数据写入的新技术。与目前基于电流的方法相比，该技术可以实现基于电场的写入方案，能耗更低，有可能为传统 RAM…