而在上周于美国旧金山举行的 IEEE 国际电子设备会议（IEDM）上，台积电研发和先进技术副总裁Geoffrey Yeap披露了有关其 N2制程工艺的更多细节。 据介绍，N2制程在相同电压下可以将功耗降低 24% 至 35%，或将性能提高15%，晶体管密度比上一代 3nm 工艺高 1.15 倍。而这些指标的提升主要得益于台积电的新型全环绕栅极（GAA）纳米片晶体管，以及 N2 NanoFlex 设计技术协同优化和其他一些增强功能实现的。 其中，全环绕栅极纳米片晶体管允许设计人员调整其通道宽度，以平衡性能和功率效率。…